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Quanto à questão de nº 1, não encontrei na apostila ( MODULO 3), qualquer assunto referente sobre a “Configuração Darlington”, porem pesquisei em na net e cheguei a conclusão da resposta “C”. Estou correto?
*** Esta configuração serve para que o dispositivo seja capaz de proporcionar um grande ganho de corrente (hFE ou parâmetro β do transistor) e, por estar todo integrado, requer menos espaço do que o dos transistores normais na mesma configuração. O Ganho total do Darlington é produto do ganho dos transistores individuais. Um dispositivo típico tem um ganho de corrente de 1000 ou superior.
Sim, mas a explicação sobre o darlington está na aula 4, à partir da página 35.
Um grande abraço. Mário Pinheiro